半導(dǎo)體工業(yè)涵蓋各樣的應(yīng)用，從PC到移動設(shè)備的處理器和存儲器，從集成電路到太陽能電池。在半導(dǎo)體工業(yè)中，紅外線工業(yè)相機(jī)可以用來檢測純半導(dǎo)體材料的質(zhì)量。此外，切割成晶片的硅錠和晶片成品，也可以用類似的方法檢測缺陷或裂紋，然后將晶片加工成光電子元器件或其他半導(dǎo)體器件。在切割晶圓成為單芯片的加工過程中，對于鋸片和激光校準(zhǔn)來說，紅外線工業(yè)相機(jī)依舊是目前應(yīng)用的主流方案。為了進(jìn)行失效分析，裝配好的集成電路要進(jìn)行裂紋或光刻檢測，整個生產(chǎn)流程中都需要進(jìn)行檢測，而在這些應(yīng)用中，都少不了紅外線相機(jī)的身影。
           “透明”的硅錠
           使用一臺紅外線相機(jī)，配合發(fā)射波長在1150nm波段的光源，很輕易的就可以進(jìn)行硅錠或硅磚的內(nèi)部雜志和結(jié)構(gòu)的檢測。
           這是因為這種半導(dǎo)體材料不吸收能量低、相對波長較長的短波紅外光子，而可見光光子則因具有較高的能量和相對較短的波長被材料吸收，無法透過。
           使用紅外線相機(jī)成為了半導(dǎo)體檢測的優(yōu)良檢測工具，可以直接檢測缺陷、雜質(zhì)、孔洞或夾雜。
           當(dāng)硅錠進(jìn)一步加工成為晶片時，硅錠中的雜質(zhì)會對生產(chǎn)設(shè)備造成損害。
           通過紅外線相機(jī)的檢測，則可以規(guī)避類似的問題，從而保障生產(chǎn)效率。
           “看穿”晶圓內(nèi)部
           晶圓制造的過程中，細(xì)顆?；蛄鸭y等缺陷可能隱匿于晶片內(nèi)或晶片之間，而可見光CCD或CMOS相機(jī)能夠檢測晶片表面的缺陷，不論晶片顆粒，還是晶片間縫隙，亦或是其他缺陷。
           封裝前的模具檢測也是通過紅外線相機(jī)進(jìn)行的，比如晶圓切割過程中造成的，隱藏在硅材料內(nèi)的細(xì)小裂紋。
           紅外線相機(jī)能夠增加產(chǎn)能和效能，例如封裝檢測、設(shè)備缺陷檢測、臨界尺寸和封裝測試。
           在晶圓封裝過程中，對于晶元制造和封裝技能，紅外線相機(jī)可以實現(xiàn)多層的質(zhì)量評價。
           “發(fā)光”的太陽能電池
           太陽能電池裂紋檢測，太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率檢測，通?；诎l(fā)光效應(yīng)，即電子從激發(fā)態(tài)過渡到穩(wěn)定狀態(tài)時半導(dǎo)體材料的光發(fā)射。多余的能量會被轉(zhuǎn)化為光子發(fā)射出去，它們的波長取決于太陽能電池材料的帶隙。對于使用硅材料的太陽能電池來說，這個帶隙能量對應(yīng)的波長大約在1150nm。但是如果硅材料中含有一些缺陷，則光發(fā)射的能量峰值會發(fā)生變化，帶隙可能會在1300~1600nm之間。其他材料例如銅銦鎵硒（CIGS）或二銅銦二硒（CIS）也可以用于太陽能電池的生產(chǎn)。對于這些材料，光發(fā)射波長都在1300nm以上。
           在半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中，盡早發(fā)現(xiàn)裂紋和微裂紋已經(jīng)變得重要。易碎的半導(dǎo)體材料中如果存在裂紋，會導(dǎo)致單個太陽能電池破損，生產(chǎn)機(jī)器停機(jī)，且清理困難。
           在線裂紋檢測儀器已經(jīng)成為太陽能電池標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)線的一部分。然而，晶體硅晶片，主要是多晶硅的自動光學(xué)探傷，依然是一項具有挑戰(zhàn)性的工作。