在開(kāi)始生產(chǎn)之前，裸晶圓在晶圓制造商處要檢驗(yàn)合格合格，并在半導(dǎo)體工廠接收后再次要半導(dǎo)體檢測(cè)合格。只有無(wú)缺陷的晶圓才用于生產(chǎn)，它們的生產(chǎn)前缺陷圖允許制造商跟蹤可能導(dǎo)致芯片功能不佳的區(qū)域。裸晶片或非圖案化晶片也在經(jīng)受被動(dòng)或主動(dòng)處理環(huán)境之前和之后被測(cè)量，以確定來(lái)自給定處理工具的粒子貢獻(xiàn)的基線。

       100納米以下的半導(dǎo)體檢測(cè)工具目前被用于制造環(huán)境中，以保障進(jìn)入晶圓的質(zhì)量，并用于大批量制造的工藝工具監(jiān)控和鑒定。這些工具采用與設(shè)計(jì)用于大規(guī)模缺陷檢測(cè)的工具相同的基本操作原理，在這些應(yīng)用中使用的系統(tǒng)中，晶片臺(tái)和光學(xué)部件的運(yùn)動(dòng)控制需要高度的精度和準(zhǔn)確度。

       由于需要檢測(cè)工具來(lái)檢測(cè)和量化越來(lái)越小的顆粒，由于散射光信號(hào)的信噪比降低，表面微粗糙度等因素的影響開(kāi)始影響小顆粒的可檢測(cè)性。非圖案化晶片的亞100納米檢測(cè)由于尺度問(wèn)題而變得復(fù)雜，信噪比是確定檢測(cè)系統(tǒng)對(duì)晶片表面顆粒和其他缺陷檢測(cè)的關(guān)鍵參數(shù)。來(lái)自環(huán)境濕度等來(lái)源的表面化學(xué)污染也會(huì)導(dǎo)致信噪比下降。為了幫助抵消這種影響，用于亞100納米缺陷檢測(cè)的半導(dǎo)體檢測(cè)工具采用高度復(fù)雜的光學(xué)空間濾波、散射信號(hào)的偏振分析和專(zhuān)門(mén)的信號(hào)處理算法來(lái)檢測(cè)存在表面霧度的缺陷。