半導(dǎo)體芯片可靠性檢測
       高溫存儲試驗、溫度循環(huán)試驗、溫濕度試驗等。
  

可靠性測試
       EOS過度電性應(yīng)力/涌浪測試一般件、ESD（HBM）一般件、ESD（MM）一般件、ESD（Latch-up）一般件、Non socket CDM Orion CDM 一般件、System-level ESD test 一般件、TLP ESD test 一般件、UBHAST 非偏壓高加速壽命試驗、TCT 溫度循環(huán)試驗、BLT 偏壓壽命試驗、HTS 高溫貯存試驗 0~ 300c、LTS 低溫貯存試驗、THB 溫濕度貯存偏壓試驗、PCT 高溫水蒸汽壓力試驗、HAST 高加速壽命試驗、Pre-condition-not include SAT、Solderability 沾錫試驗、PTC 電源溫度循環(huán)、SAT 一般件。
 
服務(wù)項目 描述
芯片失效分析 EMMI 失效點定位
OBIRCH 擊穿路徑成像
FIB 電路修改：0.55 um以上、電路修改：0.11-0.28 m及以上工藝（鋁制程）、電路修改：0.11-0.18 um （銅制程）、電路修改: 55-90 nm、電路修改：28-40 nm、切割：IC橫截面、切割：TEM樣品制備
SEM 電子成像
EDX 元素分析
DECAP 金線、銅線、合金
OM 高清光學(xué)顯微成像，可拼圖
AFM（C-AFM） 材料微觀形貌、大小、厚度和粗糙度表征；表面電勢、導(dǎo)電性、彈性模量、壓電系數(shù)
XPS 元素種類、化學(xué)價態(tài)及相對含量鑒別；元素或化學(xué)態(tài)表面分布分析
TEM 材料微區(qū)觀察與分析
FIB+TEM 透射樣品制祥+觀察
XRD 金屬和非金屬定性定量分析
Raman 物質(zhì)結(jié)構(gòu)鑒定、分子相互作用分析
橢偏儀 各種介質(zhì)膜厚度及折射率
FT-IR 樣品成分、結(jié)構(gòu)鑒定
芯片電學(xué)測試 靜態(tài)特性參數(shù) 靜態(tài)參教、特性曲線（Vd-Id, ld-Vg）
動態(tài)特性參數(shù) 等效電容Ciss, Cosg, Crss；柵極等效電阻Rg；柵極電荷特性Qg；阻性開關(guān)特性td（on），td（off）,tr, tf；感性開關(guān)特性td（on）, td （off）,tr, tf；二極管反向恢復(fù)特性trr, Qrr；短路耐量（時間）
熱阻特性 穩(wěn)態(tài)熱阻、瞬態(tài)熱阻
抗靜電雷擊測試 二極管液涌測試儀（正向）、二極管液浦測試儀（反向）、雷擊浪涌發(fā)生器、峰值電壓測試設(shè)備、雷擊浪涌測試設(shè)備、TLP

手???機：18036862869

電???話：0510-85388506

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